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第435章 博浪那令人震撼的实力（第1页）

尽管博浪在国内的宣传比较简单，只是一些简报和官网信息更新，但好事者发觉后依旧引发了热议。

无数卧槽刷屏网络空间。

哪怕网友们已经越来越习惯博浪的大手笔，哪怕对博浪最近的动静已经有所准备，网友们仍然被惊到了。

因为从去年星海1横空出世，在芯片上表现十分出色以来，国内各种自媒体没少营销晶圆厂、光刻机等等。

里面间或有一些海外来客或者湾湾来客带节奏。

所以，国内网友忽然对这一个遥远的工业领域非常关注，并各个专业了。

有关话题下面，动不动甩出DUV、EUV这种英文缩写，要么就甩中文‘深紫外极紫外’。

再有就是甩出ASML、台积电，nm、Arf、浸入式、干式。

也会甩一点相对更装逼的东西，如工艺制程的排序标准，提到从11年开始兴起的新型晶体管结构FinFET（鳍式场效应晶体管）以来，工艺制程的nm数值开始笼统的以上代工艺×0.7得出。

提到现在吵得热热闹闹的20nm不过是28nm乘以0.7得来，而晶体管的最小间距并未缩小那么多。

事实上从FinFET技术兴起之后，各类工艺制程标准逐渐以商业营销导向为基础再加上单位面积晶体管数来定义。

最典型的例子就是英特尔的14nm+++从单位面积晶体管数、基础尺寸等角度来看，跟台积电、三星的7nm差距非常微小。

因为FinFET这种晶体管结构属于3D化，最小间距的减少开始变得很缓慢，而3D化后晶体管数量仍然在激增，厂商如果单纯沿用原有的摩尔定律缩小一半为工艺升级则显现不出技术进步，于是以一种假设的二维尺寸缩小一半来定义，然后命名规则逐渐厂商化。

所以所谓摩尔定律会死一说，比较难。

哪怕是后来宣传的3nm、2nm工艺，仍然只是5×0.7等于3.5≈3nm，3×0.7等于2.1≈2nm来命名。

实际上台积电在7nm时期最小金属间距是40nm，5nm时期大概是36nm，3nm预计是30~32nm这样子，距离1nm的物理极限还有不小的空间。

反正厂商营销需要，与实际的科研极限是存在一些差距的。

综上。

在这样的背景下，星空半导体的官宣信息更新让国内网络也跟着热闹了起来，各种谈论都有。

“博浪真是不动则已啊，动起来都是大事情，直接就上全国产设备生产线了，800亿那么多，好哈人。”

“关键是这个星空半导体不缺用户啊，以他们这个产能，一年才1.2亿片芯片，供应星海系列都不够！”

“是啊是啊，现在星海有手机、平板，不出意外的话今年一定会出电脑，再加上那个星河芯片，产能起码要再扩大三四倍才够自用，好牛。”

“不过只是45nm，是不是有点落后了……不对，难怪神龙M1是40nm工艺，跟这里等着呢！”

“据说海外已经吵翻天了，有海外网友认为星空半导体这是在挑衅那个什么什么协定，阿美莉卡肯定会加大管束的，光刻机可是最尖端的禁运设备。”

比起国内无推波助澜的热议，海外网络确实吵翻天了。

因为那边主要地区阿美莉卡等都是晚上。

而且range、xiaochengshu、推特等平台带节奏的自媒体太多了，把博浪想要挑衅的味道渲染到了一个顶峰。

好像下一秒，被管束限制的博浪就会立即突破封锁，吊打硅谷，再创世界。

博浪在海外网络的核心图谋可不仅仅只是商业目的，还有别的目的，以制造各种舆论冲突最终达到一定程度的洗脑为主。

所以，自然不考虑过犹不及一点。

那边的讨论更疯狂。

毕竟有海量的海外网友，各种各样的出发点，还包括湾湾那帮带节奏的在不断从对立面谈论，形态愈来愈激烈。

…………

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